Samsung Foundry no ha tenido mucho éxito en la mejora de los rendimientos en su nodo de 3 nm de segunda generación (3 GAP). Al parecer, siguen siendo del 20%, lo que no es suficiente para ser viable para la producción en masa.
Aunque el Exynos 2500 ha aparecido en Geekbench en dos ocasiones, es poco probable que se utilice en el Galaxy S25 o Galaxy S25 Plus. Esto podría deberse a que Samsung sigue teniendo problemas de rendimiento en su nodo 3GAP utilizado para fabricar el SoC del smartphone. Un informe del medio surcoreano Sisa Journal pinta un panorama sombrío de la situación actual.
Afirma que los rendimientos en el nodo de 3 nm de segunda generación de Samsung se sitúan en el 20%. Esta cifra fue citada a principios de año por otro informe. Aunque Samsung afirma que está trabajando duro para mejorar los rendimientos en el 3 GAP, no ha conseguido gran cosa. Por supuesto, la cifra del 20% comunicada por Sisa Journal podría basarse en datos antiguos, pero está claro que aún no son suficientes para dar luz verde a la producción en masa.
Por otro lado, al nodo de 3 nm de primera generación de Samsung, el 3 GAA, le va ligeramente mejor, con un 60%. Desgraciadamente, ha suscitado poco interés entre los principales actores, siendo su único cliente un fabricante de ASIC para criptomonedas. La demanda de sus nodos de última generación no es mucho mejor, por lo que Samsung está reduciendo la producción de hasta el 50% de sus instalaciones.
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Translator: Ninh Ngoc Duy – Editorial Assistant – 454464 articles published on Notebookcheck since 2008
Anil Ganti, 2024-11- 7 (Update: 2024-11- 7)
